Samsung создает 4 Гбит чип LPDDR3 и 64 ГБ e-MMC для мобильных устройств

 

В рамках Mobile Solutions Forum компания Samsung Electronics официально анонсировала несколько своих достижений, ориентированных на рынок мобильных устройств. В их число входит создание первого в индустрии монолитного чипа памяти LPDDR3 (low power double-data-rate 3) на 4 Гбит и разработка скоростной памяти стандарта e-MMC (embedded multimedia card) с емкостью 64 ГБ.
Указанный 4 Гбит чип LPDDR3 DRAM изготовлен по технологическим нормам 30 нм класса, а его энергопотребление на 20 процентов ниже по сравнению с предшественником. Кроме того, данная память способна обеспечить скорость передачи информации до 1600 Мбит/с, что также быстрее решений предыдущего поколения, а выпуск образцов нового чипа, который может поставляться в стеках DRAM емкостью 8 Гбит (1 ГБ) и 16 Гбит (2 ГБ) должен стартовать в четвертом квартале.

Что касается 64 ГБ чипа e-MMC NAND, при его производстве применяется технология 20 нм класса, а сам он оснащен интерфейсом  Toggle DDR 2.0, что обеспечивает максимальную скорость последовательного чтения и записи данных на уровне 80 и 40 МБ/с соответственно. При этом толщина высокопроизводительного решения с большой емкостью составляет всего 1,4 мм, что делает его подходящим даже для очень тонких мобильных устройств.